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PRAM – Une mémoire 100 fois plus rapide que la flash

IBM vient d’annoncer une nouvelle innovation après avoir fêté ses 100 ans ! Il s’agit d’une nouvelle mémoire PCM (pour Phase Change Memory) ou PRAM (pour Phase Change RAM) capable d’être lue et écrite 100 fois plus rapidement que la mémoire flash qu’on connait tous. D’ailleurs, ce type de mémoire sera la remplaçante de la mémoire flash d’ici quelques années, et permettra des millions de cycles d’écriture contre plusieurs milliers pour la mémoire flash.

D’après ce que j’ai compris, la PRAM utilise des matériaux capable de changer d’état sous l’effet de la chaleur (générée grâce à l’électricité qui y circule). Jusqu’à présent, cette techno se heurtait à 2 problèmes majeurs :

  • La résistance au fil du temps, des matériaux à la chaleur (ici du verre de chalcogénure), ce qui entrainait à terme des erreurs de lecture.
  • La capacité de stockage limite d’une cellule qui n’était que de 1 bit

Mais les mecs chez IBM ont résolu ces petits soucis y compris pour la capacité de stockage qui a été augmentée à 4 bits par cellule.

Hâte de voir débarquer ça dans nos ordis !

[Source]


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